La era de GaN está en marcha

Se está librando una lucha de poder en el mundo de la electrónica. Los semiconductores de nitruro de galio más rápidos y eficientes ya han usurpado los MOSFET de silicio tradicionales en una variedad de aplicaciones.

Con el aumento en el rendimiento de transistores y circuitos integrados hecho posible por los materiales de GaN, ahora es el momento de que los ingenieros de diseño de energía innovadores aprovechen los atributos de GaN:

• Dispositivos más rápidos que dan como resultado menos pérdidas de conmutación
• Menor potencia requerida para impulsar el circuito
• Menor costo de producción
• Dispositivos más pequeños que ocupan menos espacio en la placa de circuito impreso
• Menor resistencia dando menores pérdidas de conductancia
• Capacitancia reducida que conduce a menores pérdidas durante la carga y descarga

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