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Para los materiales semiconductores tradicionales, la alta frecuencia de conmutación dará como resultado una alta pérdida de conmutación, mientras que las características de baja pérdida del material GaN pueden reducir la generación de calor, mientras que el aumento de la frecuencia de conmutación puede reducir el volumen de transformadores y condensadores, lo que ayudará a reducir el volumen del cargador y peso.
Ahora que la potencia de carga rápida aumenta cada vez más, se puede decir que la producción en masa de cargadores de GaN para uso civil representa una dirección de desarrollo de cargadores en el futuro. Aunque el precio actual es relativamente alto, se cree que en un futuro cercano, a medida que la tecnología de los materiales de GaN se vuelva más madura y más popular, el costo de los cargadores de GaN será cada vez menor.
Nitruro de galio, fórmula molecular GaN, nombre en inglés Galio nitruro, es un compuesto de nitrógeno y galio. Es un semiconductor de banda prohibida directa (banda prohibida directa) y se utiliza actualmente en cargadores de carga rápida. El rendimiento es ampliamente reconocido por los clientes. Habrá un mercado muy amplio en los próximos 1-3 años.
